CID8710D1M 抗辐射晶体管摄像机 (RS-170)

Thermo Scientific™ CID8710D1M 晶体管单色 CID 摄像机下限抗辐射性至少为 1 x 10⁶ 拉德总剂量 (γ) (1 MegaRAD) 总剂量。摄像机在 776(H) x 512(V) RS-170 版本格式内配置了 2:1 隔行扫描电荷注入设备 (CID) 成像仪和 12 x 13.7 微米像素。

• 摄像机可耐受 γ、中子、高能电子和质子辐射
• 由于在 CID 像素内进行像素电荷读取，因此很少出现其他成像技术中常见的单一事件干扰
• CID 结构具有固有耐辐射特性，而且在针对 CID 工艺进行特定修改后，已具有抗辐射能力
• 与 CCD 和 CMOS 摄像机相比，CID 摄像机在辐射环境下的操作性能至少提高了一个数量级
• 成像仪还具有固有抗光晕性能，可耐受高光反射过载
• 光过载被限制在每个像素或紧邻的像素内，因此相邻行或列不共享电荷
• 光谱响应为 400 nm 至 1100 nm，有适用于 X 射线、远紫外线和红外线的涂层可供选择
• CID 成像仪具有连续一致的像素结构，整个传感器工作时几乎无不透明区，便于亚像素边缘检测的像素间插值
• 电荷注入设备 (CID) 抗辐射技术
• 1 x 10⁶ 拉德总剂量 (γ)
• 在 7 x 10⁵ 拉德/h 下有出色的成像质量
• 高分辨率/小尺寸
• 可更换的远程摄像头
• 无几何畸变
• 4:3 长宽比像素
• 精确边缘检测
• 可选择 2x 和 0.5 视频增益提升

订货提示：

根据要求，摄像机有 CCIR 或逐行扫描格式。选项包括彩色和自定义版以及用于空气和水下操作的第三方计划。

需要：

需要外部电源供电 +11.5 至 +17 VDC。

建议用于：

• 检查与测量
• 工艺监测
• 自动处理
• 热室监测
• 激光束分析
• 科研